水導激光切割技術(shù)在切割碳化硅時(shí)的切割速度如何？
發(fā)布日期：2025-05-21 09:04 ????瀏覽量：
碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，憑借其高硬度（莫氏硬度9.5級）、耐高溫、高導熱性等特性，成為新能源汽車(chē)、5G通信及航空航天領(lǐng)域的核心材料。水導激光切割技術(shù)（LMJ）??憑借其獨特的非接觸式加工優(yōu)勢，顯著(zhù)提升了碳化硅切割速度與質(zhì)量，成為行業(yè)技術(shù)革新的焦點(diǎn)。
一、水導激光切割技術(shù)如何實(shí)現速度躍升？
1、激光-水射流協(xié)同作用機制
水導激光切割技術(shù)通過(guò)高壓水射流形成光波導，將激光能量精準引導至切割區域。與傳統線(xiàn)鋸的機械摩擦切割不同，該技術(shù)利用激光的高能脈沖直接氣化材料，避免了機械應力導致的材料崩裂和磨蝕耗時(shí)。例如，傳統線(xiàn)鋸切割6英寸碳化硅晶錠需耗時(shí)100小時(shí)，而水導激光技術(shù)通過(guò)非接觸式加工，采用532nm波長(cháng)激光配合20MPa水壓時(shí)，碳化硅切割速率可達10-15mm/s，將效率提升3-5倍，單次切割時(shí)間縮短至20小時(shí)以?xún)?，且切口平整度?yōu)于線(xiàn)鋸工藝。
2、冷卻與排屑
水流在切割過(guò)程中發(fā)揮雙重作用：
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??冷卻作用??：碳化硅作為高硬度、高導熱材料，加工過(guò)程中易因局部高溫引發(fā)微裂紋或晶格畸變。水導激光技術(shù)中，高速水流持續冷卻切割區域，將材料表面溫度控制在500℃以下，避免相變或熱應力累積。這一特性使得LMJ無(wú)需像干式激光切割頻繁停機降溫，保障切割過(guò)程連續高效。
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??碎屑清除??：傳統線(xiàn)鋸切割產(chǎn)生的碳化硅碎屑易堵塞切割縫，導致線(xiàn)鋸磨損加劇甚至斷線(xiàn)。而LMJ技術(shù)中，高壓水射流可將切割碎屑瞬間沖刷出作用區域，減少二次沉積對激光能量的散射損耗。據統計，有效的排屑設計可使切割速度額外提升15%-20%。
這一機制消除了傳統切割中頻繁停機清理碎屑的需求，使加工效率提升20%以上。
二、速度優(yōu)勢的量化對比
1、切割效率數據??
2、材料利用率提升??
傳統切割因機械磨損和切縫寬度限制，材料損失率高達46%。水導激光切割通過(guò)微米級路徑控制，將損耗降至80μm以下，單晶錠有效利用率從54%提升至92%，顯著(zhù)降低碳化硅晶錠的噸均成本。
三、技術(shù)局限性與優(yōu)化方向
盡管水導激光切割速度優(yōu)勢顯著(zhù)，其進(jìn)一步優(yōu)化仍受限于激光波長(cháng)適配性。目前技術(shù)主要支持1064nm（紅外）、532nm（綠光）及355nm（紫外）三種波長(cháng)，而水對不同波長(cháng)激光的吸收率差異（如1064nm吸收率約0.1%/cm，532nm增至約2%/cm）直接影響能量傳輸效率。國內企業(yè)如庫維科技正研發(fā)多頻段激光耦合技術(shù)，計劃擴展至266nm（深紫外）波段，以提升對12英寸晶錠的切割能力。
隨著(zhù)碳化硅在8英寸晶圓及功率器件中的規?；瘧?，水導激光切割技術(shù)正從實(shí)驗室走向產(chǎn)線(xiàn)。國際廠(chǎng)商如DISCO、國內廠(chǎng)商庫維激光等已實(shí)現該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化落地，推動(dòng)碳化硅晶圓成本下降40%-50%。預計至2026年，LMJ技術(shù)將占據碳化硅切割市場(chǎng)60%份額，成為第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈升級的核心驅動(dòng)力。
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